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        半導體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

        更新時(shí)間:2024-07-09      點(diǎn)擊次數:302

        蝕刻液半導體制造流程中重要的化學(xué)品之一,其配方的成分含量和純度,對器件的性能具有關(guān)鍵影響。ICP、IR、LC、MS均是常用的分析手段,沃特世專(zhuān)注液相色譜分離(LC)和質(zhì)譜(MS)檢測的分析平臺研發(fā),無(wú)論是提升日常分析的簡(jiǎn)易性,還是借助多一維分子量信息進(jìn)行快速監控,均有對應的色譜質(zhì)譜技術(shù)助力原料放行、配方研發(fā)、質(zhì)控和問(wèn)題溯源。

        半導體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析


        UPLC - QDa液相色譜質(zhì)譜檢測器


        蝕刻液中的離子殘留,在液相色譜分析中非常容易帶來(lái)基線(xiàn)的波動(dòng)和結果的偏差。在PEG組分分析中,質(zhì)譜檢測器(QDa)多一維質(zhì)荷比的優(yōu)勢,可以助力更好地采集特定離子的譜圖信息,降低背景基線(xiàn)干擾,日常質(zhì)控方法更穩定。





        色譜條件
        • 流動(dòng)相A:0.1%甲酸水

        • 流動(dòng)相B:甲醇

        • 流速:0.5 mL/min

        • 梯度條件:

          %A 0.00 90.0 10.0

          %B 5.00 90.0 10.0


        • 進(jìn)樣量:10 μL


        質(zhì)譜條件
        • SIR采集:m/z 459.3聚乙二醇400

        • 電離模式:ESI(+)

        • 采樣率:10 點(diǎn)/秒

        • 毛細管電壓:1.5 kV

        • 錐孔電壓:30 V

        • 源內溫度:300 ℃


        半導體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

        半導體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析


        圖1.PEG400 SIR采集色譜圖和質(zhì)譜圖(m/z459.36)。



        ASAP大氣壓固體分析探桿


        在原料放行和過(guò)程分析中,需要把控品質(zhì)和快速判斷批次穩定性,但由于蝕刻液樣品中的酸、金屬鹽等組分,在色譜分離前需要較為復雜的前處理步驟。而借助質(zhì)譜的直接進(jìn)樣探桿,無(wú)需或只需很少的樣品前處理,一次性玻璃毛細管蘸取樣品插入質(zhì)譜中進(jìn)行表征。

        該技術(shù)Waters SQD2、Xevo家族串聯(lián)四極桿、四極桿串聯(lián)飛行時(shí)間質(zhì)譜平臺上均可輕松配置,擴展多樣化進(jìn)樣分析能力,固體、液體、半固體均可實(shí)現質(zhì)譜直接分析。


        半導體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

        圖2.ASAP操作流程(蘸取樣品 - 插入質(zhì)譜 - 自動(dòng)觸發(fā)采集)。


        半導體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

        圖3.利用ASAP快速表征PEG成分(不同供應商比較)。



        沃特世質(zhì)譜平臺化的設計理念,讓多種類(lèi)樣本分析能力大大提升,輕松應對半導體生產(chǎn)中涉及的各種材料。如您有興趣了解完整解決方案,





        沃特世半導體行業(yè)解決方案,涵蓋光刻流程中所應用到的化學(xué)品分析,從液相色譜分離到高靈敏度質(zhì)譜表征以及高分辨未知成分定性,提供快速的色譜質(zhì)譜解決方案。從小分子到大分子,從日常質(zhì)控、過(guò)程放行、到配方剖析,涉及光刻膠、蝕刻液、電鍍液、研磨液等多種材料分析需求。

        半導體行業(yè)解決方案之蝕刻液分析

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